В России запущено 90-нм производство электроники
Новая линия дополнит существующую на «Мироне» линию по технологии 180 нм. Суммарная мощность завода достигнет 3 тыс. пластин в месяц с возможностью одновременно производить до 200 разных типономиналов чипов, длительность производственного цикла составит 3 месяца. Сейчас загрузка производства 180 нм составляет 70%, у производства по технологии 90 нм на II квартал текущего года загрузка запланирована на уровне 40%.
Для нового производства были построены чистые комнаты площадью 700 кв. м., общая площадь чистых комнат увеличилась до 3,5 тыс. кв. м. При этом 40% оборудования для технологии 90 нм расположено в помещениях для производства по технологии 180 нм. Всего на «Микроне» теперь 124 единицы оборудования, из которых 45 работают по технологии 90 нм.
Преимущество технологии 90 нм перед 180 нм состоит в меньшей площади микросхем — 7 кв. мкм. против 21 кв. мкм., меньшей длине волны сканера — 193 нм против 248 нм, и 9 уровнях металлизации вместо 5. Также микросхемы, изготовленные по технологии 90 нм, обладают в 3 раза большей степенью интеграции, их быстродействие больше в 1,7 раз, а энергопотребление меньше в 1,5 — 2 раза.
Продукция нового производства будет использоваться в навигации, промышленной электронике, вычислительных комплексах, электронных приборах учета, автоматизированных системах управления технологическими процессами, системах мониторинга, загранпаспортах, смарт-картах и других областях.
Как отметил гендиректор концерна РТИ (через него АФК «Система» владеет контрольным пакетом акций «Ситроникса») Сергей Боев, теперь Россия стала восьмой страной мира, у которой есть производство с технологией 90 нм. Аналогичные возможности есть только у США, Франции, Германии, Японии, Тайваня, Китая и Южной Кореи.
«5 лет назад отечественная микроэлектронная промышленность отставала от зарубежной на 3-4 поколения, разница составляла 10 — 15 лет», - напомнил замруководителя военно-промышленной комиссии при правительстве Юрий Борисов. Сейчас самым передовым производством является технология 22-28 нм, от которой технология 90 нм отстает на три поколения. Но технология 22 — 28 используется лишь для чипов динамической памяти.
В области же КМОП (комплементарной логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник) с низким энергопотреблением, на которую ориентируется «Микрон», самая современная технология — 32 нм. Таким образом, как отмечает директор по маркетингу «Ситроникс — микроэлектроника» Карина Абагян, отставание России сократилось до двух поколений. Сейчас в мире микросхемы, выполненные по технологии 90 нм, занимают 23% рынка, их объем продаж в прошлом году составил $75 млрд.
Присутствовавший на открытии нового производства вице-премьер Дмитрий Рогозин заявил, что «без независимой компонентной базы не бывает независимой страны». Он пообещал, что в ближайшее время военно-техническая комиссия рассмотрит вопрос поддержки микроэлектроники, ориентируясь на различные области — оборону, космос, атомную промышленность и т.д.